【久商鲸策】光芯片行业交流会议纪要

TL;DR / 一句话摘要

纪要核心判断是：市场对2026年CW光源出货的预期显著高于产业实际，当前瓶颈并不在MOCVD设备，而在测试设备与DFB芯片光栅写录环节；在仅有6台MOCVD已投产、CW综合良率仍处20%-30%区间的情况下，2026年公司口径全年CW出货仅约1200万颗，明显低于市场一致预期的6000-7000万颗。

Key Data / 关键数据

事项	数据
75mW+100mW CW芯片月均出货	约100万颗
75mW+100mW CW芯片全年出货	约1200万颗
25G/50G等其他光芯片月出货	2-3万颗
25G/50G等其他光芯片峰值月出货	约5万颗
已调试投产MOCVD设备	6台
已签订MOCVD采购计划	10-12台
全部到位后MOCVD总量	16-18台
当前自有+外协测试机台	70余台
测试机台翻倍后的潜在月产能	约200万颗（2027年）
CW芯片综合良率	20%-30%
CW芯片目标良率	50%-60%
100G/200G EML芯片综合良率	10%-20%

Direct Quotes / 原始引文

“MOCVD非核心瓶颈，测试设备和DFB芯片光栅写录环节为主要限制。”

“当前自有+外协测试机台共70余台，若翻倍则2027年月产能可达200万颗。”

“CW芯片全流程综合良率20%-30%（中枢25%），目标未来提升至50%-60%，需3-5个月验证周期。”

“100G/200G EML芯片预计综合良率10%-20%，计划2026年底至2027年初小规模出货。”

“市场对2026年CW光源全年出货一致预期6000-7000万颗，与公司1200万颗年出货存在较大差距。“

Implications / 启示

• 市场预期可能高估了2026年CW实际供给：纪要给出的1200万颗年出货口径，与市场6000-7000万颗一致预期差距很大，意味着产业链对上游放量节奏存在明显高估风险。
• 真正瓶颈在测试与工艺验证，不只是外延设备：即使新增MOCVD陆续到位，测试设备与光栅写录环节没有同步扩充，产能释放仍会受限。
• 良率爬坡决定盈利与供给弹性：CW当前20%-30%的综合良率仍偏低，若未来3-5个月验证后能抬升至50%-60%，供给与成本结构才可能出现明显改善。
• 高端EML仍处于早期阶段：100G/200G EML综合良率只有10%-20%，且仅计划在2026年底至2027年初小规模出货，说明高端产品短期仍难成为主要供给增量。

Verifiable Predictions / 可验证预测

预测	目标日期	状态
2026年新交付2-3台MOCVD设备并完成调试	2026年内	pending
测试设备扩张计划推进，机台数接近翻倍	2026-2027年	pending
CW芯片良率在3-5个月窗口内出现提升验证	2026年下半年	pending
100G/200G EML芯片在2026年底至2027年初小规模出货	2026年底-2027年初	pending