卓胜微IR反路演会议纪要

TL;DR / 一句话摘要

卓胜微是A股射频芯片IDM公司，正从射频向光通信延伸：锗硅工艺切入800G+光模块电芯片（TIA/Driver），SOI+锗硅同线结合工艺灵活度超Tower；12寸线2026年底扩至万片/月，扩产边际成本极低；L-PAMiD导入华为+荣耀，2026年预计贡献6-10亿增量；光芯片2027年有望落地，核心障碍是北美CSP客户供应链需求的落地节奏。

Key Data / 关键数据

事项	数据
12寸线2026年底产能	7000片/月 → 年内扩至9000-10000片
12寸线远期规划	2万片/月
12寸线已投入	五六十亿（7000片产能）
12寸扩产追加投入	30亿 → 扩至14000片（仅补瓶颈节点设备）
SOI晶圆单价	2000-3000美元/片
L-PAMiD 2026年收入增量	6-10亿元
L-PAMiD当前毛利率	18-20%（折旧压力大，规模效应未显现）
L-PAMiD长期毛利率目标	高于公司均值，折旧完成后35-40%
华为PA自研vs外采比例	约5:5或4:6
产线折旧周期	8年，还剩2-3年
砷化铟工艺节点	2026年下半年小批量打样
磷化铟/硅基光芯片目标落地	2027年（国内客户验证更快）
2026 Q2手机业务	全年最差季度，Q3随新机发布回升

Direct Quotes / 原始引文

“12寸线扩产不需要照搬全套设备，仅需采购部分核心瓶颈节点的卡脖子设备，即可实现产能快速提升2-3倍。” （扩产边际成本极低，IDM模式规模效应显著）

“800G及以上的光模块电芯片必须使用锗硅工艺，目前该工艺产能较为稀缺，下游大客户已开始在国内寻找相关资源。” （锗硅产能稀缺，卓胜微自建产线具备先发优势）

“公司IDM模式可生产性能更优的PA产品，与仅具备设计能力的厂商相比竞争优势显著。” （L-PAMiD的护城河在于IDM，工艺差异化竞争）

Implications / 启示

• 锗硅是光芯片电芯片的隐形卡脖子：800G+光模块的TIA/Driver必须用锗硅工艺，产能稀缺；卓胜微自建产线是少数能做SOI+锗硅同线结合的本土厂商，护城河高
• 12寸线是隐藏的价值锚：已投入五六十亿形成7000片/月，追加30亿即可再扩7000片；SOI晶圆2000-3000美元/片，随产能爬坡收入弹性大
• 光芯片业务2027年是观察窗口：客户主要依赖北美CSP供应链变动，短期落地节奏不确定；但国内客户验证快（参考12寸线通线到量产只用1年），2027年有可能超预期
• 射频业务L-PAMiD是2026年确定增量：华为外采比例提升受益，6-10亿增量可对冲手机下滑；毛利率逐季改善，长期看35-40%
• 2026 Q2是全年业绩低点：手机底部+光芯片未落地+Q2产能爬坡三重压制，Q3起逐步改善

Verifiable Predictions / 可验证预测

预测内容	验证时间
L-PAMiD 2026年贡献6-10亿增量	2026年年报
12寸线2026年底扩至9000-10000片	2026年年报/公告
砷化镓工艺2026年下半年小批量打样	2026年下半年
磷化铟/硅基光芯片2027年落地并贡献营收	2027年年报
L-PAMiD毛利率达35-40%	折旧完成后（约2-3年后）